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郑新和

教授
  • 姓名:

    郑新和
  • 性别:

  • 职称:

    教授
  • 所在系所:

    应用物理系
  • 所在梯队:

    半导体物理与器件
  • 办公地点:

    化生楼405
  • 办公电话:

    18510971596
  • 电子邮件:

    xinhezheng@ustb.edu.cn
  • 本科生课程:

    《半导体物理》、《半导体器件与工艺》
  • 研究生课程:

    《半导体器件物理》
  • 研究领域:

    III族氮化物半导体薄膜与低维结构的原子层外延生长,新型氮化镓/二维体系异质结热电子晶体管,原子层沉积在太阳能电池、储能电池中的应用,发光二极管芯片设计与计算,薄膜物性表征与分析

教育经历

    2002年6月毕业于中国科学院半导体研究所,获博士学位。

工作经历

    博士毕业后工作于中国科学院物理研究所、源顺国际有限公司(北京)和中国石油大学(北京),曾前往德国、智利及台湾从事技术培训和博士后方面的研究工作。2009年3月至2014年3月,工作于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,任研究员、博士生导师。2014年起加盟北京科技大学物理系,任教授、博士生导师。一直从事氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和砷化镓(GaAs)等半导体薄膜和量子阱(QW)结构的生长、物理性能分析与光电器件(发光二极管和太阳能电池)方面的研究。目前正在进行III族氮化物原子层外延生长、新型GaN/二维体系热电子晶体管以及原子层沉积应用方面等的研究工作。

科研业绩

    在InGaN基半导体结构表征、太阳能电池器件物理和薄膜外延生长方面开展了具有特色并受到国际同行关注的研究工作。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在物理类综合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次评价,薄膜晶格常数测量方法被实际应用到研究工作并写入科学出版社专著章节,InGaN基太阳能电池受到2014年诺贝尔物理奖获得者S.Nakamura教授研究组的多次引用。截止目前,已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等国内外知名期刊上发表论文近八十篇,申请专利二十项(十一项授权)。曾担任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座编辑,是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半导体学报》等国内外期刊的审稿人。现担任中国电工技术学会半导体光源系统专业委员会委员。主持、参与的项目包括国家重点基础研究计划、国家自然科学基金、上海空间电源研究所、苏州市国际合作、与日本索尼公司国际合作、横向项目等。

获得奖励

    江苏省科学技术三等奖、中国科学院优秀共产党员、苏州市高层次紧缺人才、北京科技大学高层次人才等。

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