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郑新和
郑新和
教授、博士生导师

姓  名: 郑新和
性  别:
技术职称: 教授、博士生导师
所在系所: 应用物理系
系所职务: 应用物理系书记、副主任
所在梯队: 半导体物理与器件
办公地点: 化生楼405
办公电话: 62334927
电子邮件: xinhezheng@ustb.edu.cn
本科课程: 《半导体物理》、《半导体器件与工艺》
研究生课程: 《半导体器件物理》
研究领域: III族氮化物半导体薄膜与低维结构的原子层外延生长
稀氮化合物GaInNAs基太阳能电池
半导体InGaN基太阳能电池与器件物理
InGaN基量子阱材料的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相外延(MOVPE)
InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)与器件设计
半导体薄膜的结构、电学与光学表征

简历

简历
 
个人简历:
2002年6月毕业于中国科学院半导体研究所,获博士学位。博士毕业后工作于中科院物理所、源顺国际有限公司(北京)和中国石油大学(北京),曾前往德国、智利及台湾从事技术培训和博士后方面的研究工作。2009年3月加入中科院苏州纳米所,任研究员、博士生导师(2012年起)。2014年起加盟北京科技大学物理系,任教授、博士生导师。一直从事氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)和砷化镓(GaAs)等半导体薄膜和量子阱(QW)结构的生长、物理性能分析与光电器件(发光二极管和太阳能电池)方面的研究。目前正在进行化合物半导体太阳能电池、分子束外延生长和原子层外延生长方面的研究工作。
 
代表性论文论著:
  1. Xinyuan Gan, Xinhe Zheng, Haixiao Wang, Naiming Wang, Yuanyuan Wu, Shulong Lu, Hui Yang, Masayuki Arimochi, Shiro Uchida, Masao Ikeda, GaAs tunnel junction grown using tellurium and magnesium as dopants by solid-state molecular beam epitaxy, Jap. J. Appl. Phys. 53(2), 021201 (2014).
  2. Z. J. Shang; X. H. Zheng; C. Yang; Y; Chen; B. Li; L. Sun; Z. Tang and D. G. Zhao, Stimulated emission and ultrafast carrier dynamics of In0.17Ga0.83N epilayer at room temperature, Appl. Phys. Lett.105, 232104(2014).
  3. Jiangtao Di, Zhenzhong Yong, Xinhe Zheng, Baoquan Sun, and Qingwen Li, Aligned Carbon Nanotubes for High-Efficiency Schottky Solar Cells, Small, 9, 1367-1372 (2013).
  4. Xue-Fei Li, Xin-He Zheng, Dong-Yan Zhang, Yuan-Yuan Wu, Xiao-Ming Shen, Jian-Feng Wang, Hui Yang, InGaN/GaN Multiple Quantum Well Solar Cells with Good Open-Circuit Voltage and Concentrator Action, Jap. J. Appl. Phys, 51(9), 092301(2012).
  5. Xinhe Zheng, Longjuan Tang, Dongyan Zhang, Jianrong Dong, and Hui Yang, Effect of contact spreading layer on photovoltaic response of InGaN-based solar cells, Phys. Status Solidi A, 208(1), 199-201 (2011)
  6. Dongyan Zhang, Xinhe Zheng, Longjuan Tang, Jianrong Dong, Hui Wang, and Hui Yang, Photovoltaic effects of InGaN/GaN double heterojunctions with p-GaN nanorod arrays, IEEE Electron. Dev. Lett., 31(12), 1422(2010).
  7. Dong-Sing Wuu, Hsueh-Wei Wu, Shih-Ting Chen, Tsung-Yen Tsai, Xinhe Zheng, Ray-Hua Horng, Defect reduction of laterally regrown GaN on GaN/patterned sapphire substrates, J. Crystal Growth, 311, 3063 (2009).
  8. Shun-Cheng Hsu, Dong-Sing Wuu, Xinhe Zheng, and Ray-Hua Horng, Electron-Beam and Sputter-Deposited Indium–Tin Oxide Omnidirectional Reflectors for High-Power Wafer-Bonded AlGaInP Light-Emitting Diodes, J. Electro. Soc., 156(4), H281-H284 (2009).
  9. Xinhe Zheng, Ray-Hua Horng, Dong-Sing Wuu, Mu-Tao Chu, Wen-Yih Liao, Ming-Hsien Wu, Ray-Ming Lin, and Yuan-Chieh Lu, High-quality InGaN/GaN heterojunctions and their photovoltaic effects, Appl. Phys. Lett. 93, 261108 (2008).
  10. Ray-Hua Horng, Xinhe Zheng, Chuang-Yu Hsieh, and Dong-Sing Wuu, Light extraction enhancement of InGaN light-emitting diode by roughening both undoped micropillar-structure GaN and p-GaN as well as employing an omnidirectional reflector, Appl. Phys. Lett. 93, 021125 (2008).
  11. R. H. Horng, C. C. Chiang, H. Y. Hsiao, X. Zheng, D. S. Wuu, and H. I. Lin, Improved thermal management of GaN/sapphire light-emitting diodes embedded in reflective heat spreaders, Appl. Phys. Lett. 93, 111907 (2008).
  12. X. H. Zheng, H. Chen, Z. B. Yan, D. S. Li, H. B. Yu, Q. Huang, and J. M. Zhou, Influence of the deposition time of barrier layers on optical and structural properties of high-efficiency green-light-emitting InGaN/GaN multiple quantum wells, J. Appl. Phys, 96 (4), 1899 (2004).
  13. X. H. Zheng, H. Chen, Z. B. Yan, Y. J. Han, H. B. Yu, D. S. Li, Q. Huang, and J. M. Zhou, Determination of twist angle of in-plane mosaic spread of GaN films by high-resolution x-ray diffraction, J. Crystal Growth, 255/1-2, 63 (2003).
  14. X. H. Zheng, Y. T. Wang, Z. H. Feng, Hui Yang and J. W. Liang, Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs(001), J.Crystal Growth, 250/3-4, 345 (2003).
  15. X. H. Zheng, D. S. Jiang, S. Johnson, and Y. H. Zhang, Structural and optical characterization of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition, Appl. Phys. Lett., 83 (20), 4149 (2003).
  16. Z. H. Feng, H. Yang, X. H. Zheng, Y. Fu, Y. P. Sun, X. M. Shen, and Y. T. Wang, Optimization of cubic GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition based on residual strain relaxation, Appl. Phys. Lett, 82 (2), 206 (2003).
 
科研业绩:
在InGaN基半导体结构表征、太阳能电池器件物理和薄膜外延生长方面开展了具有特色并受到国际同行关注的研究工作。GaN马赛克扭转角测量方法受到英国剑桥大学在Rep. Prog. Phys.(IF: 15.6)上的多次评价,薄膜晶格常数测量方法被实际应用到研究工作并写入专著章节,InGaN基太阳能电池受到S.Nakamura教授研究组的多次引用。截止目前,已在Small、APL、JAP、IEEE Electron. Dev. Lett.、物理学报等国内外知名期刊上发表论文近七十篇,引用已达六百多次,并多次作会议邀请报告。申请专利十余项(2项授权)。担任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座编辑,是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys.A, Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films等国际期刊的审稿人。担任中国电子学会会员以及江苏省省市项目验收专家。
 
北京科技大学人才引进启动项目(2014.1-2016.12,主持)、科技部国家重点基础研究计划(2009.3~2011.8,科研骨干)、国家自然科学基金委面上项目(2013.1-2016.12,主持)、上海空间电源研究所(2011.1-2014.12,主持)、苏州市国际合作(2012.6~2014.5,主持)、横向项目(2013.8~2.13.11,主持)、所内与索尼公司国际合作项目(2010.6~2014.5,主持)、国家自然科学青年基金(2011.1-2013.12,参与)和中科院纳米器件与应用重点实验室开放课题(2013.1-2014.12,负责人之一)
 
获得奖励 / 专利:
2013年,国家自然科学二等奖提名(个人排名第三)
2012年,江苏省科学技术三等奖(个人排名第七)
2012年,苏州纳米科技协同创新中心“2011计划”核心科研人员
2012年,中科院苏州纳米所优秀党务工作者
2011年,中科院南京分院优秀党支部
2011年,中国科学院优秀共产党员
2009年,苏州市紧缺高层次人才